Preparasyon ak aplikasyon SiC manbràn

Teknoloji preparasyon ki deja egziste nan manbràn seramik carbure Silisyòm yo enkli: metòd anpile patikil, metòd rediksyon tèmik kabòn, metòd krak polymère ak metòd depo chimik vapè.

Metòd anpile patikil

Metòd anpile patikil la se yon metòd sintering solid patikil. Metòd sa a sòti nan metòd preparasyon seramik ki mouye e li se yon metòd preparasyon manbràn seramik komen. Ti patikil yo dope nan gwo patikil. Karakteristik ti patikil ki fasil pou SINTER yo itilize pou ogmante tanperati a pou fòme yon koneksyon ant gwo patikil. Sitiyasyon ideyal la se ke kou yo nan patikil gwo yo estokaj, kite yon gwo kantite atravè-twou, pandan y ap kenbe bon pwopriyete mekanik.

Lè w ap itilize metòd la anpile patikil pou fè manbràn carbure Silisyòm, se metòd la tranpe sispansyon souvan itilize jenere kouch manbràn la pa aksyon kapilè. Apre w fin prepare yon sispansyon ki estab, sispansyon an kontakte ak sifas kò sipò a, mwayen an ap koule nan kò sipò a, ak matyè premyè ki gaye nan mwayen an konsantre ak akimile sou sifas kò sipò a pou fòme yon patikil. kouch, ki Lè sa a, seche ak tire yo fòme yon pwodwi fini. Depi metòd sa a fasil pou opere epi li mande pou ekipman ki ba, li souvan itilize nan pwodiksyon an nan manbràn seramik carbure Silisyòm komèsyal yo.

Kabòn tèmik rediksyon reyaksyon SINTERING metòd

Reyaksyon rediksyon tèmik kabòn SINTERING sitou itilize yon kantite ki apwopriye nan sous Silisyòm ak kabòn kòm matyè premyè melanje respire, respire rad yo sou sipò a, ak Lè sa a, fè reyaksyon rediksyon tèmik kabòn anba atmosfè agon oswa pwoteksyon anviwònman vakyòm.

Sous kabòn ak sous Silisyòm yo itilize nan preparasyon manbràn seramik carbure Silisyòm pa SINTERING reyaksyon rediksyon tèmik kabòn yo sitou òganik, epi metòd sol-gel souvan oblije fòme yon fim. Sepandan, metòd sol-jèl la gen difikilte nan kondisyon fim piman bouk fòme, domaj fasil, ak sede ba nan preparasyon an nan manbràn carbure Silisyòm, kidonk gen kèk aplikasyon espesifik.

Sintering reyaksyon rediksyon tèmik kabòn gen yon varyete de matyè premyè ak tanperati reyaksyon ki ba. Si kondisyon yo piman bouk ak sede ba nan kouch fim nan fòme etap yo ka rezoud, li gen potansyèl la fè konpetisyon ak metòd la akimilasyon patikil nan pwodiksyon endistriyèl la nan manbràn seramik carbure Silisyòm.

Polymère fann metòd

Metòd krak polymère a sèvi ak yon précurseur seramik pou fonn oswa fonn li ak rad li sou sipò a, ak Lè sa a, fant li nan tanperati ki wo pou fòme yon seramik inòganik. Li se yon metòd preparasyon komen pou seramik ki pa oksid inòganik aletranje.

Metòd polymère fann pou prepare manbràn Silisyòm carbure gen avantaj ki genyen nan manbràn pratik fòme, epesè kontwole, pwosesis senp, pi ba tanperati chofaj (apeprè 1000 degre) konpare ak metòd akimilasyon patikil, men pri a nan matyè premyè se relativman wo.

Metòd depo chimik vapè

Kouch la manbràn prepare pa metòd depo chimik vapè gen kontwòl fò, gwo dansite ak ti gwosè pò, men pri li yo se wo, pwosesis la se konplike, flux la se yon ti kras ensifizan, ak manbràn yo seramik carbure Silisyòm prepare pa metòd depo chimik vapè yo. kounye a sitou itilize nan endistri a semi-conducteurs ak separasyon faz gaz, ak aplikasyon an nan lòt direksyon bezwen plis devlopman.

Separasyon lwil oliv-dlo

Teknoloji SiC seramik separasyon manbràn se pi lajman itilize nan separasyon lwil oliv-dlo, ki enplike kalite dlo ki gen lwil oliv ki gen ladan pwosesis endistriyèl netwaye dlo ize lwil, dlo ize bilge bato, dlo ize lwil nan endistri petwòl ak gaz solid endistri pwosesis tèmik, elatriye. gwosè pò yo diferan nan manbràn SiC seramik (jeneralman 0.01 ~ 10μm), kalite polisyon lwil oliv li trete ka gen ladan lwil k ap flote, lwil oliv emulsifye ak menm lwil ki fonn. Konpare ak teknoloji aktyèl yo itilize pou trete dlo ize eksplorasyon lwil oliv ak gaz, teknoloji separasyon manbràn SiC seramik pa sèlman fè sistèm separasyon an jeneral plis kontra enfòmèl ant, men tou, diminye itilizasyon pwodui chimik yo.

Pirifikasyon dlo

SiC seramik ultrafiltrasyon manbràn yo ka itilize tou pou pirifye bon jan kalite dlo ak separe matyè sispann, bakteri ak lòt enpurte nan dlo akòz gwo estabilite estriktirèl yo ak selektivite. Anjeneral, filtraj presizyon nan manbràn seramik SiC se mikrofiltrasyon ak ultrafiltrasyon. Nan pwosesis tretman dlo a, li se jeneralman configuré kòm yon pwosesis segondè oswa menm siperyè tretman amann, ki ka efektivman separe matyè sispann, ti patikil solid, bakteri, elatriye nan dlo egou, pou bon jan kalite dlo a nan dlo pwodwi a satisfè peyi mwen an. estanda egzeyat dlo ize yo. Rechèch sou teknoloji separasyon manbràn SiC seramik nan pirifikasyon dlo bezwen yo dwe plis apwofondi, ak zòn aplikasyon yo dilatabl tou bezwen plis eksplore.

Retire pousyè gaz ak pirifikasyon

Nan dènye ane yo, rechèch aplikasyon an nan manbràn seramik SiC nan retire pousyè gaz ak pirifikasyon te parèt tou kontinyèlman, ak manbràn SiC seramik yo espere fè gwo reyalizasyon nan jaden separasyon gaz.

Retire pousyè gaz ak pirifikasyon se yon devlopman alontèm ak inovasyon teknoloji jaden. Teknoloji SiC seramik separasyon manbràn te ajoute nouvo teknoloji aplikab, ak rechèch ki gen rapò te montre tou inik pou retire pousyè gaz ak kapasite pou pirifye nan manbràn SiC seramik. Sepandan, travay rechèch aktyèl la se byen lwen ase, epi toujou gen anpil pwoblèm ki bezwen eksplore ak rezoud, tankou estabilite fizik ak chimik nan manbràn Si0 seramik nan anviwònman gaz wo-tanperati, manbràn yo. yo sansib a kontaminasyon ak move efè netwayaj, ak gwo konsomasyon enèji.

Avèk plis atansyon yo bay pwoteksyon anviwònman an nan kay ak aletranje, peyi yo gen bezwen de pli zan pli ijan pou sipò pou filtraj segondè-pèfòmans ak teknoloji separasyon, kreye opòtinite pou devlopman ak aplikasyon nan SiC seramik teknoloji separasyon manbràn. Nan lavni an, yon gwo kantite resous ap toujou bezwen envesti pou rezoud pwoblèm tankou pwodiksyon manbràn frelikè ak teknoloji preparasyon ak rechèch aplikasyon enpafè, se konsa ke SiC seramik manbràn separasyon teknoloji ka vrèman aplike ak benefisye pèp la.